Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- RS-artikelnummer:
- 284-822
- Tillv. art.nr:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
644,34 kr
(exkl. moms)
805,42 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 10 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 644,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-822
- Tillv. art.nr:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | EasyDUAL | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Antal ben | 23 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.149μC | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie EasyDUAL | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Antal ben 23 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.149μC | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-modul representerar ett betydande framsteg inom krafthalvledartekniken, utformad för att möta de stränga kraven på högfrekvensomkopplingstillämpningar. Den här innovativa modulen innehåller CoolSiC-MOSFET-skott, vilket ger oöverträffad effektivitet och tillförlitlighet. Med en robust konstruktion skräddarsydd för industriella tillämpningar säkerställer den låga omkopplingsförluster och utmärkt termisk prestanda. Den integrerade PressFIT-kontakttekniken förenklar installationen samtidigt som en säker anslutning upprätthålls. Den här modulen är ett idealiskt val för tillämpningar som DC/DC-omvandlare och UPS-system, vilket revolutionerar energistyrningen med sin kompakta och hållbara konstruktion.
Låg induktiv konstruktion optimerar dynamisk prestanda
Integrerad temperatursensor ökar säkerheten
Robust montering säkerställer tillförlitlighet i krävande miljöer
Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt IEC-standarder
Perfekt för likspänningsladdning i elfordon
Effektiviserad installation med PressFIT-teknik
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747