Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 348-978
- Tillv. art.nr:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 565,31 kr
(exkl. moms)
1 956,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 565,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-978
- Tillv. art.nr:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyDUAL | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET-halvbryggmodul är utformad för att leverera högpresterande strömlösningar med klassens bästa förpackning, med en kompakt höjd på 12 mm för effektiv utrymmesanvändning. Modulen innehåller ledande WBG-material (Wide Bandgap), vilket ger överlägsen effektivitet, tillförlitlighet och termisk prestanda. Med mycket låg modulströmsinduktans säkerställer den minimala effektförluster och förbättrad omkopplingsdynamik. Modulen drivs av den förbättrade CoolSiC MOSFET Gen 1, som erbjuder förbättrad värmehantering och effektivitet, vilket gör den idealisk för krävande strömtillämpningar.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 2000 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 2000 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101