Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

3 196,82 kr

(exkl. moms)

3 996,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +3 196,82 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-978
Tillv. art.nr:
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

150A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Kapseltyp

EasyDUAL

Fästetyp

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

11.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is designed to deliver high performance power solutions with best-in-class packaging, featuring a compact 12 mm height for efficient space utilization. The module incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency, reliability, and thermal performance. With very low module stray inductance, it ensures minimized power losses and enhanced switching dynamics. The module is powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, offering improved thermal management and efficiency, making it ideal for demanding power applications.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar