Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 348-978
- Tillv. art.nr:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
3 022,54 kr
(exkl. moms)
3 778,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 18 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 3 022,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-978
- Tillv. art.nr:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyDUAL | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge Module is designed to deliver high performance power solutions with best-in-class packaging, featuring a compact 12 mm height for efficient space utilization. The module incorporates leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, providing superior efficiency, reliability, and thermal performance. With very low module stray inductance, it ensures minimized power losses and enhanced switching dynamics. The module is powered by the Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, offering improved thermal management and efficiency, making it ideal for demanding power applications.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiCTM Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 2000 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 2000 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101