Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 348-971
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 782,37 kr
(exkl. moms)
2 227,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 18 enhet(er) från den 03 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 782,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-971
- Tillv. art.nr:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-modul är utformad för högpresterande strömtillämpningar, med klassens bästa förpackning med en kompakt höjd på 12 mm för effektiv utrymmesanvändning. Den har ledande WBG-material (Wide Bandgap), vilket förbättrar energieffektiviteten och den termiska prestandan. Med mycket låg modulströmsinduktans minimerar denna modul effektförluster och förbättrar omkopplingshastigheten för mer effektiv drift.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 1200 V Förbättring, EasyDUAL, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK
