Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

3 569,44 kr

(exkl. moms)

4 461,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 18 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +3 569,44 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
348-971
Tillv. art.nr:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Kapseltyp

EasyPACK

Fästetyp

Skruv

Maximal drain-källresistans Rds

17.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

23 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

5.35V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
The Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack Module is engineered for high performance power applications, incorporating best-in-class packaging with a compact 12 mm height for efficient space utilization. It features leading edge Wide Bandgap (WBG) material, which enhances power efficiency and thermal performance. With very low module stray inductance, this module minimizes power losses and improves switching speed for more efficient operation.

Outstanding module efficiency

System cost advantages

System efficiency improvement

Reduced cooling requirements

Enabling higher frequency

Increase of power density

Relaterade länkar