Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
553,95 kr
(exkl. moms)
692,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 16 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 553,95 kr |
| 2 - 4 | 526,18 kr |
| 5 - 9 | 504,11 kr |
| 10 - 19 | 481,94 kr |
| 20 + | 459,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | FS55MR12W1M1H_B11 | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 114mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie FS55MR12W1M1H_B11 | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 114mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 V / 55 mΩ sixpack module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, NTC and PressFIT Contact Technology.
Low inductive design
Low switching losses
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
PressFIT contact technology
Integrated NTC temperature sensor
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 15 A 1200 V Förbättring AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 50 A 1200 V Förbättring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1
- Infineon AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon Typ N Kanal 400 A 1200 V Förbättring AG-EASY3B AEC-Q101
- Infineon 15 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi