Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
553,95 kr
(exkl. moms)
692,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 553,95 kr |
| 2 - 4 | 526,18 kr |
| 5 - 9 | 504,11 kr |
| 10 - 19 | 481,94 kr |
| 20 + | 459,76 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Serie | FS55MR12W1M1H_B11 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 114mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Serie FS55MR12W1M1H_B11 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 114mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B 1200 V / 55 mΩ sixpack module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, NTC and PressFIT Contact Technology.
Low inductive design
Low switching losses
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
PressFIT contact technology
Integrated NTC temperature sensor
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY3B AEC-Q101
- Infineon, IGBT 3-fas, 15 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi