Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
586,88 kr
(exkl. moms)
733,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 586,88 kr |
| 2 - 4 | 557,54 kr |
| 5 - 9 | 534,13 kr |
| 10 - 19 | 510,61 kr |
| 20 + | 487,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0229
- Tillv. art.nr:
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Serie | FS55MR12W1M1H_B11 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 114mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Serie FS55MR12W1M1H_B11 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 114mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 1B 1200 V / 55 mΩ sexpackmodul med CoolSiCTM MOSFET med förbättrad generation 1, NTC och PressFIT-kontaktteknik.
Låg induktiv konstruktion
Låga omkopplingsförluster
Robust montering tack vare integrerade monteringsklämmor
PressFIT-kontaktteknik
Inbyggd NTC-temperatursensor
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY3B AEC-Q101
- Infineon, IGBT 3-fas, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi