Infineon Isolerad N Kanal, MOSFET, 50 A 1.2 kV, 2 Ben, AG-EASY1B, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 217-7181
- Tillv. art.nr:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 217-7181
- Tillv. art.nr:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 50 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 1.2 kV | |
| Antal ben | 2 | |
| Kapseltyp | AG-EASY1B | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 5.65 V | |
| Höjd | 16.4 mm | |
| Längd | 62.8 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 33 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 20 mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40 °C | |
| Typ av fäste | Chassi | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 33.8 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 50 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 1.2 kV | ||
Antal ben 2 | ||
Kapseltyp AG-EASY1B | ||
Serie CoolSiC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 5.65 V | ||
Höjd 16.4 mm | ||
Längd 62.8 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 33 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 20 mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -40 °C | ||
Typ av fäste Chassi | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 33.8 mm | ||
The Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ half bridge module with CoolSiC MOSFET, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology
High current density
Best in class switching and conduction losses
Low inductive design
RoHS-compliant modules
Relaterade länkar
- Infineon Isolerad N Kanal, MOSFET, 50 A 1.2 kV, 2 Ben, AG-EASY1B, CoolSiC
- Infineon, MOSFET, 150 A 1.2 kV, AG-EASY1BS-1
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 1.2 kV Förbättring, AG-EASY2B, FF6MR
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 52 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 70 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, PG-TO-247-4-U02, CoolSiC
