Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- RS-artikelnummer:
- 258-0847
- Tillv. art.nr:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 083,04 kr
(exkl. moms)
1 353,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 26 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 1 083,04 kr |
| 2 - 2 | 1 028,83 kr |
| 3 + | 985,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0847
- Tillv. art.nr:
- FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 150A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | AG-EASY1BS-1 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.8mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.95V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 150A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp AG-EASY1BS-1 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.8mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.95V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolSiCTM EasyPACKTM1B för bilar är en halvbryggmodul som kombinerar fördelarna med Infineons robusta kiselkarbidteknik med ett mycket kompakt och flexibelt paket för hybrid- och elfordon. Effektmodulen implementerar den nya CoolSiCTM fordons-MOSFET 1200 V Gen1, optimerad för högspänningstillämpningar som DC/DC-omvandlare och extraomvandlare. Chipset erbjuder referensströmtäthet, hög blockeringsspänning och minskade omkopplingsförluster, vilket möjliggör kompakta konstruktioner och bidrar till att förbättra systemets effektivitet, samt möjliggör tillförlitlig drift under tuffa miljöförhållanden.
Intrinsisk diod med låg omvänd återhämtning
Låg strålningsinduktans 5 nH
Blockeringsspänning 1 200 V
Låga omkopplingsförluster
Inbyggd NTC-temperatursensor
Relaterade länkar
- Infineon, MOSFET, 150 A 1200 V, AG-EASY1BS-1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 1200 V Förbättring, 8 Ben, AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon SiC-diod Likriktarbrygga 415 A 1200 V AG-EASY1B-1
- Infineon, MOSFET, AG-EASY1B-1, DDB2U IEC 60747
- Infineon, IGBT 3-fas, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi
- Infineon, IGBT 3-fas, 15 A 1200 V, AG-EASY1B-711 Chassi
