Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL

RS-artikelnummer:: 284-821
Tillv. art.nr:: FF17MR12W1M1HB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL

Antal (1 fack med 24 enheter)*

17 779,992 kr

(exkl. moms)

22 224,984 kr

(inkl. moms)

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter	Per enhet	Per fack*
24 +	740,833 kr	17 779,99 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 284-821
Tillv. art.nr:: FF17MR12W1M1HB11BPSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	50A
	Maximal källspänning för dränering Vds	1200V
	Kapseltyp	AG-EASY1B
	Serie	EasyDUAL
	Typ av fäste	Skruv
	Antal ben	23
	Maximal drain-källresistans Rds	34.7mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	5.35V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	0.149μC
	Maximal effektförlust Pd	20mW
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A
	Maximal källspänning för dränering Vds 1200V
	Kapseltyp AG-EASY1B
	Serie EasyDUAL
	Typ av fäste Skruv
	Antal ben 23
	Maximal drain-källresistans Rds 34.7mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 5.35V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.149μC
	Maximal effektförlust Pd 20mW
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - FF17MR12W1M1HB11BPSA1

Infineons MOSFET-modul representerar ett betydande framsteg inom krafthalvledartekniken, utformad för att möta de stränga kraven på högfrekvensomkopplingstillämpningar. Den här innovativa modulen innehåller CoolSiC-MOSFET-skott, vilket ger oöverträffad effektivitet och tillförlitlighet. Med en robust konstruktion skräddarsydd för industriella tillämpningar säkerställer den låga omkopplingsförluster och utmärkt termisk prestanda. Den integrerade PressFIT-kontakttekniken förenklar installationen samtidigt som en säker anslutning upprätthålls. Den här modulen är ett idealiskt val för tillämpningar som DC/DC-omvandlare och UPS-system, vilket revolutionerar energistyrningen med sin kompakta och hållbara konstruktion.

Låg induktiv konstruktion optimerar dynamisk prestanda

Integrerad temperatursensor ökar säkerheten

Robust montering säkerställer tillförlitlighet i krävande miljöer

Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt IEC-standarder

Perfekt för likspänningsladdning i elfordon

Effektiviserad installation med PressFIT-teknik

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, 23 Ben, AG-EASY1B, EasyDUAL

Relaterade länkar