IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

396,72 kr

(exkl. moms)

495,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4396,72 kr
5 +325,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-029
Distrelec artikelnummer:
302-53-378
Tillv. art.nr:
IXFN80N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

700W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

195nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.6mm

Längd

38.2mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar