IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 10 enheter)*

3 091,31 kr

(exkl. moms)

3 864,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 160 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
10 - 10309,131 kr3 091,31 kr
20 - 40296,766 kr2 967,66 kr
50 +287,493 kr2 874,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4759
Tillv. art.nr:
IXFN80N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

66A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

70mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

190nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

960W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

38.23mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
US

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.