IXYS N Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 920-0789
- Tillv. art.nr:
- IXFN64N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 10 enheter)*
2 763,94 kr
(exkl. moms)
3 454,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 19 oktober 2026
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 14 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 276,394 kr | 2 763,94 kr |
| 20 - 30 | 262,573 kr | 2 625,73 kr |
| 40 - 90 | 254,285 kr | 2 542,85 kr |
| 100 - 190 | 240,464 kr | 2 404,64 kr |
| 200 + | 234,382 kr | 2 343,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 920-0789
- Tillv. art.nr:
- IXFN64N50P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 61A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 85mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 700W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 25.42mm | |
| Längd | 38.23mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 61A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 85mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal effektförlust Pd 700W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 25.42mm | ||
Längd 38.23mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 66 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 82 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 63 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET