IXYS N Kanal, MOSFET, 63 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- RS-artikelnummer:
- 146-1760
- Tillv. art.nr:
- IXFN80N50Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (10 enheter, i ett rör med 10)*
5 315,63 kr
(exkl. moms)
6 644,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 10 + | 531,563 kr | 5 315,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-1760
- Tillv. art.nr:
- IXFN80N50Q3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 780W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 38.23mm | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Bredd | 25.07mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 780W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 38.23mm | ||
Höjd 9.6mm | ||
Bredd 25.07mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3-serien
IXYS Q3-klass av HiperFET™ Power MOSFETs är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer, och erbjuder låg gate-laddning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb egendiod och finns tillgängliga i en mängd olika industristandardiserade paket, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 1100 V och 70 A. Typiska applikationer är DC-DC-omvandlare, batteriladdare, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, temperatur- och belysningsstyrning.
Snabb inbyggd likriktardiod
Låg RDS(on) och QG (grindladdning)
Låg inneboende grindresistans
Industriella standardpaket
Låg induktans i paketet
Hög effekttäthet
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 63 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 28 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 82 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 37 A 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 38 A 1000 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 32 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 64 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Q3-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 18 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, HiperFET, Q3-Class