Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6112
- Tillv. art.nr:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 30 enheter)*
878,97 kr
(exkl. moms)
1 098,72 kr
(inkl. moms)
Lägg till 30 enheter för att få fri frakt
I lager
- Dessutom levereras 570 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 29,299 kr | 878,97 kr |
| 60 - 120 | 27,836 kr | 835,08 kr |
| 150 + | 26,66 kr | 799,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6112
- Tillv. art.nr:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 85A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 227W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Bredd | 16.3 mm | |
| Längd | 41.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 85A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 227W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 5.3mm | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Bredd 16.3 mm | ||
Längd 41.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Qualified according to JEDEC for target applications
Relaterade länkar
- Infineon Nej IKW30N65EL5XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon Nej IKB40N65EH5ATMA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IHW30N65R5XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej 28 A 650 V, TO-220