Sök efter MPN

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

RS-artikelnummer:: 226-6112
Tillv. art.nr:: IKW30N65EL5XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

878,97 kr

(exkl. moms)

1 098,72 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

570 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per Rør*
30 - 30	29,299 kr	878,97 kr
60 - 120	27,836 kr	835,08 kr
150 +	26,66 kr	799,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6112
Tillv. art.nr:: IKW30N65EL5XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	30V
	Maximum Power Dissipation	227 W
	Number of Transistors	1
	Configuration	Single
	Package Type	PG-TO247
	Channel Type	N
	Pin Count	3

	Välj alla
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 30V
	Maximum Power Dissipation 227 W
	Number of Transistors 1
	Configuration Single
	Package Type PG-TO247
	Channel Type N
	Pin Count 3

Datasheet - IKW30N65EL5XKSA1

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Qualified according to JEDEC for target applications

Infineon IKW30N65EL5XKSA1 Single IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar