Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

149,18 kr

(exkl. moms)

186,475 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 255 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2029,836 kr149,18 kr
25 - 4526,566 kr132,83 kr
50 - 12025,044 kr125,22 kr
125 - 24523,274 kr116,37 kr
250 +21,482 kr107,41 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6639
Tillv. art.nr:
IHW30N65R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

60A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

176W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.7V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Längd

42mm

Höjd

5.21mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar