Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

87,92 kr

(exkl. moms)

109,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 580 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 843,96 kr87,92 kr
10 - 1839,59 kr79,18 kr
20 - 4836,905 kr73,81 kr
50 - 9834,27 kr68,54 kr
100 +28,505 kr57,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6113
Tillv. art.nr:
IKW30N65EL5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

85A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

227W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Höjd

5.3mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Längd

41.9mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG

Maximum junction temperature 175°C

Qualified according to JEDEC for target applications

Relaterade länkar