Infineon AEC-Q100, AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 228-6510
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
69,33 kr
(exkl. moms)
86,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 594 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 69,33 kr |
| 5 - 9 | 65,86 kr |
| 10 - 24 | 64,51 kr |
| 25 - 49 | 60,37 kr |
| 50 + | 56,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-6510
- Tillv. art.nr:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±2 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Bredd | 16.3 mm | |
| Längd | 41.9mm | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101/100 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±2 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Bredd 16.3 mm | ||
Längd 41.9mm | ||
Höjd 5.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101/100 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
The Infineon AIKW50N65RF5 is hybrid power discrete with SiC power technology with best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. The hybrid of 650V TRENCHSTOP 5 AUTO fast switching IGBT and CoolSiC Schottky diode to enable a cost efficient performance boost for fast switching automotive applications such as on board charger, PFC, DC-DC and DC-AC.
Trenchstop 5 fast switching IGBT
Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies
Low gate charge QG
Maximum junction temperature 175°C
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 IGBT-krets med enkel transistor 80 A 650 V TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101 74 A 650 V TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101 80 A 650 V TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101 AIGW40N65H5XKSA1 74 A 650 V TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101 AIGW50N65F5XKSA1 80 A 650 V TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Yta