Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 500 enheter)*

7 204,00 kr

(exkl. moms)

9 005,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
500 +14,408 kr7 204,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-0979
Tillv. art.nr:
IKP28N65ES5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

28A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

130W

Kapseltyp

TO-220

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 ±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Serie

5th Generation

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 650 V, 28 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package.It has a high current density, high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

High speed smooth switching device for hard & soft switching

175°C maximum junction temperature

No need for gate clamping components

Relaterade länkar