Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 242-0979
- Tillv. art.nr:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 500 enheter)*
7 204,00 kr
(exkl. moms)
9 005,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 500 + | 14,408 kr | 7 204,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0979
- Tillv. art.nr:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 28A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 130W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | 5th Generation | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 28A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 130W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie 5th Generation | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 650 V, 28 A IGBT med anti-parallell diod i TO-220-paket. Den har hög strömtäthet, hög effektivitet, snabbare time-to-market-cykler, minskad kretsdesignkomplexitet och optimering av PCB-materialkostnad.
Hög hastighets smidig omkopplingsenhet för hård och mjuk omkoppling
175 °C maximal kopplingstemperatur
Inget behov av grindklämkomponenter
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 25 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 75 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta