Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 197,51 kr

(exkl. moms)

1 496,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3039,917 kr1 197,51 kr
60 - 12037,923 kr1 137,69 kr
150 +36,325 kr1 089,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6608
Tillv. art.nr:
AIGW40N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

74A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.66V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon high speed H5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar