Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

130,14 kr

(exkl. moms)

162,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 865,07 kr130,14 kr
10 - 1861,825 kr123,65 kr
20 - 4856,56 kr113,12 kr
50 - 9848,775 kr97,55 kr
100 +39,65 kr79,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6611
Tillv. art.nr:
AIGW50N65F5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

270W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.66V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar