Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-2932
- Tillv. art.nr:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
378,56 kr
(exkl. moms)
473,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 378,56 kr |
| 5 - 9 | 371,06 kr |
| 10 - 24 | 344,18 kr |
| 25 - 49 | 315,39 kr |
| 50 + | 291,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2932
- Tillv. art.nr:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.64V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 62.8mm | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Standarder/godkännanden | EN61140, IEC61140 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 6 | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Panel | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.64V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 62.8mm | ||
Höjd 16.4mm | ||
Standarder/godkännanden EN61140, IEC61140 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT7, emitterstyrd 7-diod, NTC och pressFIT-kontaktteknik.
Hög effekttäthet
Kompakt design
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT Gemensam emitter 1200 V, 7 Ben, CTI Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel