Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 24 enheter)*

7 044,696 kr

(exkl. moms)

8 805,864 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
24 +293,529 kr7 044,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2931
Tillv. art.nr:
FS50R12W1T7B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

20mW

Konfiguration

Gemensam emitter

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.64V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

16.4mm

Längd

62.8mm

Standarder/godkännanden

EN61140, IEC61140

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT7, emitterstyrd 7-diod, NTC och pressFIT-kontaktteknik.

Hög effekttäthet

Kompakt design

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.