Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-2929
- Tillv. art.nr:
- FS50R12KT3BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 fack med 15 enheter)*
8 277,705 kr
(exkl. moms)
10 347,135 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 551,847 kr | 8 277,71 kr |
| 30 + | 538,048 kr | 8 070,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2929
- Tillv. art.nr:
- FS50R12KT3BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 280W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 28 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Längd | 107.5mm | |
| Höjd | 20.5mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61140, EN61140 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 280W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Panel | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 28 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Längd 107.5mm | ||
Höjd 20.5mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61140, EN61140 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IGBT module with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled HE diode and NTC.
Established Econo module concept
Integrated temperature sensor available
Low stray inductance module design
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT Gemensam emitter 1200 V, 7 Ben, CTI Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- onsemi, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål