Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 15 enheter)*

8 277,705 kr

(exkl. moms)

10 347,135 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15551,847 kr8 277,71 kr
30 +538,048 kr8 070,72 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2929
Tillv. art.nr:
FS50R12KT3BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

280W

Antal transistorer

6

Konfiguration

Gemensam emitter

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

28

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

107.5mm

Standarder/godkännanden

IEC61140, EN61140

Höjd

20.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT-modul med snabb TRENCHSTOP IGBT3, emitterstyrd HE-diod och NTC.

Econo-modulkoncept

Integrerad temperatursensor tillgänglig

Moduldesign med låg ströinduktans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.