Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

15 825,27 kr

(exkl. moms)

19 781,58 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 151 055,018 kr15 825,27 kr
30 +1 028,643 kr15 429,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-3075
Tillv. art.nr:
TDB6HK124N16RRBPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

70A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

400W

Konfiguration

Gemensam emitter

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

23

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.75V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Höjd

20.5mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

45 mm

Längd

107.5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon half controlled bridge modules with brake chopper and NTC for a more compact converter design.

High mechanical robustness

Isolated copper base plate

RoHS compliant

Relaterade länkar