Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 15 enheter)*

12 942,72 kr

(exkl. moms)

16 178,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15862,848 kr12 942,72 kr
30 +841,269 kr12 619,04 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2919
Tillv. art.nr:
FP100R12N2T7BPSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

100A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

Modul

Konfiguration

Gemensam emitter

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.72V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

122mm

Standarder/godkännanden

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Höjd

20.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons trefas PIM IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT7, emitterstyrd 7-diod och NTC. PIM (Power Integrated Modules) med integrering av likriktare och bromschopper möjliggör systemkostnadsbesparingar.

Hög tillförlitlighet och effekttäthet

Kopparbottenplatta för optimerad värmespridning

Hög effekttäthet

Lödkontaktteknik

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.