Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-2919
- Tillv. art.nr:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 fack med 15 enheter)*
11 761,335 kr
(exkl. moms)
14 701,665 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 784,089 kr | 11 761,34 kr |
| 30 + | 764,482 kr | 11 467,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2919
- Tillv. art.nr:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 31 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.72V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Längd | 122mm | |
| Höjd | 20.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 7 | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Panel | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 31 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.72V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Längd 122mm | ||
Höjd 20.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons trefas PIM IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT7, emitterstyrd 7-diod och NTC. PIM (Power Integrated Modules) med integrering av likriktare och bromschopper möjliggör systemkostnadsbesparingar.
Hög tillförlitlighet och effekttäthet
Kopparbottenplatta för optimerad värmespridning
Hög effekttäthet
Lödkontaktteknik
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel
- Infineon, IGBT Gemensam emitter 1200 V, 7 Ben, CTI Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel