Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

11 725,17 kr

(exkl. moms)

14 656,47 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 25 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15781,678 kr11 725,17 kr
30 +762,137 kr11 432,06 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2919
Tillv. art.nr:
FP100R12N2T7BPSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

100A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Maximal effektförlust Pd

20mW

Kapseltyp

Modul

Konfiguration

Gemensam emitter

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.72V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Längd

122mm

Höjd

20.5mm

Bredd

62 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

High reliability and power density

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Solder contact technology

Relaterade länkar