Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-2919
- Tillv. art.nr:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 fack med 15 enheter)*
11 761,335 kr
(exkl. moms)
14 701,665 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 15 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 784,089 kr | 11 761,34 kr |
| 30 + | 764,482 kr | 11 467,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2919
- Tillv. art.nr:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 31 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.72V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.5mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Längd | 122mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Kapseltyp Modul | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Typ av fäste Panel | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 31 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.72V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.5mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Längd 122mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
High reliability and power density
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Solder contact technology
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel
- Infineon, IGBT Gemensam emitter 1200 V, 7 Ben, CTI Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel