Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 466,98 kr

(exkl. moms)

1 833,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 41 466,98 kr
5 - 91 437,52 kr
10 - 191 346,91 kr
20 +1 303,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2918
Tillv. art.nr:
FF200R17KE4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

200A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1700V

Maximal effektförlust Pd

1250W

Antal transistorer

1

Konfiguration

Gemensam emitter

Kapseltyp

62MMH

Typ av fäste

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.45V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

106.4mm

Standarder/godkännanden

IEC 61140

Höjd

30.5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons dubbla IGBT-modul med snabb IGBT4 och emitterstyrd 4-diod.

Optimal elektrisk prestanda

Högsta tillförlitlighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.