Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

9 848,385 kr

(exkl. moms)

12 310,485 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 25 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15656,559 kr9 848,39 kr
30 +640,147 kr9 602,21 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2927
Tillv. art.nr:
FP75R12N2T7BPSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

EconoPIM2

Konfiguration

Gemensam emitter

Fästetyp

Panel

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.77V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

107.5mm

Bredd

45 mm

Höjd

20.5mm

Standarder/godkännanden

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Fordonsstandard

Nej

The Infineon three phase PIM IGBT module with IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

High reliability and power density

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

Solder contact technology

Relaterade länkar