Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-2916
- Tillv. art.nr:
- FF200R17KE4HOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 fack med 10 enheter)*
11 128,32 kr
(exkl. moms)
13 910,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1 112,832 kr | 11 128,32 kr |
| 20 + | 1 077,093 kr | 10 770,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2916
- Tillv. art.nr:
- FF200R17KE4HOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 200A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1700V | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Maximal effektförlust Pd | 1250W | |
| Konfiguration | Gemensam emitter | |
| Kapseltyp | 62MMH | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.45V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 106.4mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61140 | |
| Höjd | 30.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 200A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1700V | ||
Antal transistorer 1 | ||
Maximal effektförlust Pd 1250W | ||
Konfiguration Gemensam emitter | ||
Kapseltyp 62MMH | ||
Typ av fäste Panel | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.45V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 106.4mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61140 | ||
Höjd 30.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon dual IGBT module with fast IGBT4 and emitter controlled 4 diode.
Optimal electrical performance
Highest reliability
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1700 V, 7 Ben, 62MMH 1 Panel
- Infineon, IGBT Gemensam emitter 1200 V, 7 Ben, CTI Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, Modul 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 70 A 1200 V, 23 Ben 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 100 A 1200 V, 31 Ben, Modul 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 31 Ben, EconoPIM2 7 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 28 Ben, Modul 6 Panel