Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6112
- Tillv. art.nr:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 60 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 052,25 kr
(exkl. moms)
1 315,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 540 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | 35,075 kr | 1 052,25 kr | - |
| 60 - 120 | 33,324 kr | 999,72 kr | 4% |
| 150 + | 31,916 kr | 957,48 kr | 9% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6112
- Tillv. art.nr:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 85A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 227W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Bredd | 16.3mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 41.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 85A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 227W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Bredd 16.3mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 41.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IKW30N65EL5 har 650 V genombrottsspänning som använder mycket låg kollektor-emittermättnadsspänning och högre effektivitet för 50 Hz. Den har längre livslängd och högre tillförlitlighet av IGBT.
Låg grindladdning QG
Maximal kopplingstemperatur 175 °C
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 75 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q100, AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220