Infineon AEC-Q100, AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Antal (1 rör med 240 enheter)*

14 547,36 kr

(exkl. moms)

18 184,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • Dessutom levereras 480 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
240 +60,614 kr14 547,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-6508
Tillv. art.nr:
AIKW50N65RF5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±2 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

41.9mm

Höjd

5.3mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101/100

Serie

TrenchStop

Bredd

16.3 mm

Fordonsstandard

AEC-Q100, AEC-Q101

The Infineon AIKW50N65RF5 is hybrid power discrete with SiC power technology with best cost-performance is the most important aspect for auxiliary applications in electric vehicles and hybrid vehicles. The hybrid of 650V TRENCHSTOP 5 AUTO fast switching IGBT and CoolSiC Schottky diode to enable a cost efficient performance boost for fast switching automotive applications such as on board charger, PFC, DC-DC and DC-AC.

Trenchstop 5 fast switching IGBT

Best in class efficiency in hard switching and resonant topologies

Low gate charge QG

Maximum junction temperature 175°C

Relaterade länkar