Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 4 A 600 V 20 kHz, PG-SOT223
- RS-artikelnummer:
- 240-8531
- Tillv. art.nr:
- IKN04N60RC2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
34,38 kr
(exkl. moms)
42,975 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 6,876 kr | 34,38 kr |
| 50 - 120 | 5,914 kr | 29,57 kr |
| 125 - 245 | 5,51 kr | 27,55 kr |
| 250 - 495 | 5,152 kr | 25,76 kr |
| 500 + | 4,726 kr | 23,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-8531
- Tillv. art.nr:
- IKN04N60RC2ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 4A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.8W | |
| Kapseltyp | PG-SOT223 | |
| Switchhastighet | 20kHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.3V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 4A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 6.8W | ||
Kapseltyp PG-SOT223 | ||
Switchhastighet 20kHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.3V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon RC driver 2 600 V, 1 A IGBT Discrete i PG- SOT-223-paket. RC-D2 med den monolitiskt integrerade dioden ger förbättringar av prestanda, kontrollerbarhet och tillförlitlighet jämfört med RC-DF. Den ger låga omkopplingsförluster till konkurrenskraftigt pris och är enkel att designa i produkter – drop in SMD-ersättning i DPAK och SOT-223 med hög systemtillförlitlighet.
Förbättrad styrning
Arbetsområde på 1 till 20 kHz
Fuktighetsbeständig design
Maximal kopplingstemperatur 150 °C
Kortslutningsförmåga på 3 μs
Mycket snäv parameterfördelning
Blyplätering utan bly, RoHS-kompatibel
Komplett produktspektrum och SPICE-modeller
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 4 A 600 V 20 kHz, PG-SOT223
- Infineon, IGBT med integrerad diod, Typ N Kanal, 1 A 600 V, 3 Ben, PG-SOT223
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 75 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 6.5 A 600 V 30 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, Omvänt ledande drivdon, 6 A 600 V, PG-SOT223
- Infineon, Omvänt ledande drivdon, 3 A 600 V, PG-SOT223
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 28 A 650 V, TO-220