Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- RS-artikelnummer:
- 226-6073
- Tillv. art.nr:
- IGD06N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
13 607,50 kr
(exkl. moms)
17 010,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,443 kr | 13 607,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6073
- Tillv. art.nr:
- IGD06N60TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 12A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 12A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IGD06N60T är en mycket mjuk, snabb återhämtning anti-parallell emitterstyrd diod och har hög robusthet, temperaturstabilt beteende. Den har låg omkopplingsförlust.
Mycket låg VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximal kopplingstemperatur 175 °C
Kortslutningshålltid 5 mikrosekunder
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 6.5 A 600 V 30 kHz, 3 Ben, TO-252 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 160 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål