Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

143,14 kr

(exkl. moms)

178,925 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • Dessutom levereras 920 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2028,628 kr143,14 kr
25 - 4525,782 kr128,91 kr
50 - 12024,058 kr120,29 kr
125 - 24522,332 kr111,66 kr
250 +20,608 kr103,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6648
Tillv. art.nr:
IKB15N65EH5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

105W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkännanden

JEDEC47/20/22

Fordonsstandard

Nej

The Infineon high speed switching insulated-gate bipolar transistor copacked with full rated current rapid 1 antiparallel diode also has 650v breakdown voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar