Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- RS-artikelnummer:
- 215-6648
- Tillv. art.nr:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
178,75 kr
(exkl. moms)
223,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 920 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 35,75 kr | 178,75 kr |
| 25 - 45 | 32,212 kr | 161,06 kr |
| 50 - 120 | 30,06 kr | 150,30 kr |
| 125 - 245 | 27,91 kr | 139,55 kr |
| 250 + | 25,76 kr | 128,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6648
- Tillv. art.nr:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 105W | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC47/20/22 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 105W | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkännanden JEDEC47/20/22 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons höghastighetsswitchande isolerade bipolära transistor med grind, kopackad med full nominell ström, snabb 1 antiparallell diod, har också 650 V genombrottsspänning.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 25 A 650 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål