Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 90 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

17 741,00 kr

(exkl. moms)

22 176,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +17,741 kr17 741,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6629
Tillv. art.nr:
IGB50N60TATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

90A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

600V

Maximal effektförlust Pd

333W

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, JEDEC1

Serie

TRENCHSTOPTM

Fordonsstandard

Nej

The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed