STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

163,97 kr

(exkl. moms)

204,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 30 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 532,794 kr163,97 kr
10 +29,434 kr147,17 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-7210
Tillv. art.nr:
STGWA20H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

147W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterade länkar

Recently viewed