STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 86 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

162,90 kr

(exkl. moms)

203,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • Dessutom levereras 580 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +32,58 kr162,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-3944
Tillv. art.nr:
STGWA50HP65FB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

86A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

272W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

STG

Längd

15.9mm

Bredd

21.1 mm

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

Relaterade länkar