STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 86 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 204-3944
- Tillv. art.nr:
- STGWA50HP65FB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
162,90 kr
(exkl. moms)
203,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 540 enhet(er) från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,58 kr | 162,90 kr |
| 50 - 120 | 29,68 kr | 148,40 kr |
| 125 + | 24,728 kr | 123,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-3944
- Tillv. art.nr:
- STGWA50HP65FB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 86A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 272W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 86A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 272W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics HB2-serien 650 V IGBT representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi. En diod som används för skyddssyften är endast samförpackad i antiparallell med IGBT. Resultatet är en produkt som är speciellt utformad för att maximera effektiviteten för ett brett utbud av snabba tillämpningar.
Maximal samlingstemperatur på 175 °C
Samförpackad skyddsdiod
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Positiv temperaturkoefficient
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 86 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål