STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 202-5514
- Tillv. art.nr:
- STGWA30HP65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 202-5514
- Tillv. art.nr:
- STGWA30HP65FB
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 260W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | STG | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 260W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie STG | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 21.1mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics IGBT i HB-serien med hög hastighet har utvecklats med en avancerad proprietär felttopstruktur för trenchgrind. Enheten är en del av den nya HB-serien av IGBT:er, som representerar en optimal kompromiss mellan lednings- och omkopplingsförlust för att maximera effektiviteten hos alla frekvensomvandlare.
Låg värmeresistans
Mycket snabb mjuk antiparallelldiod för återställning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål