STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 204-9878
- Tillv. art.nr:
- STGWA30H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
202,94 kr
(exkl. moms)
253,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 enhet(er) från den 29 juli 2026
- Dessutom levereras 625 enhet(er) från den 05 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,588 kr | 202,94 kr |
| 50 - 120 | 36,468 kr | 182,34 kr |
| 125 + | 29,926 kr | 149,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-9878
- Tillv. art.nr:
- STGWA30H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.1V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.1V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2-serien representerar en utveckling av den avancerade proprietära trench gate-fältstoppstrukturen. HB2 seriens prestanda är optimerad när det gäller ledningsförmåga, tack vare ett bättre VCE(sat) beteende vid låga strömvärden, liksom när det gäller minskad omkopplingsenergi.
Maximal samlingstemperatur: TJ = 175 °C
Låg VCE(sat) = 1,65 V (typ) @ IC = 30 A
Mycket snabb och mjuk återhämtningsdiod med sampaket
Minimerad slutström
Tight parameterfördelning
Låg värmeresistans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 86 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål