STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 487,82 kr

(exkl. moms)

1 859,76 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 9049,594 kr1 487,82 kr
120 - 24043,99 kr1 319,70 kr
270 - 48042,847 kr1 285,41 kr
510 - 99041,757 kr1 252,71 kr
1020 +40,716 kr1 221,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-7206
Tillv. art.nr:
STGWA100H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

145A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

441W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Serie

STG

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 100 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Relaterade länkar