STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 206-7212
- Tillv. art.nr:
- STGWA75H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
104,27 kr
(exkl. moms)
130,338 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 29 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 52,135 kr | 104,27 kr |
| 10 + | 44,575 kr | 89,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-7212
- Tillv. art.nr:
- STGWA75H65DFB2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 115A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 357W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 115A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 357W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie STG | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 145 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 86 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål