STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 60 A 650 V 1 MHz, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 206-8630
- Tillv. art.nr:
- STGWA30IH65DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
224,45 kr
(exkl. moms)
280,55 kr
(inkl. moms)
Lägg till 15 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- 450 enhet(er) levereras från den 03 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 44,89 kr | 224,45 kr |
| 25 - 45 | 43,658 kr | 218,29 kr |
| 50 - 120 | 42,516 kr | 212,58 kr |
| 125 - 245 | 41,44 kr | 207,20 kr |
| 250 + | 40,364 kr | 201,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-8630
- Tillv. art.nr:
- STGWA30IH65DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 108W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.05V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Serie | STG | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Bredd | 21.1 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 108W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.05V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Serie STG | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Bredd 21.1 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 650 V TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW80H65DFB Typ N Kanal 650 V TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW60H65DFB Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej STGW40H65DFB Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål