Infineon MOSFET, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Se alla Gate-drivare
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6175
Tillv. art.nr:
IRS2008SPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

600mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Antal utgångar

2

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

170ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IRS2008

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

4mm

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS2008 är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med beroende hög- och lågsidans referensutgångskanal. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren.

Tolerant mot negativ transientspänning

Utformad för användning med bootstrap-nätaggregat

Logik för att förhindra korskoppling

Matchad propagationsfördröjning för båda kanalerna

Intern inställd dödtid

High-side-utgång i fas med ingång

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.