Infineon MOSFET, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 20 V, SOIC

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6175
Tillv. art.nr:
IRS2008SPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Gate-drivare

Utström

600mA

Antal ben

8

Falltid

90ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

170ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IRS2008

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

5mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRS2008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channel. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross conduction.

Tolerant to negative transient voltage

Designed for use with bootstrap power supplies

Cross-conduction prevention logic

Matched propagation delay for both channel

Internal set deadtime

High-side output in phase with input

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.