Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 832,50 kr

(exkl. moms)

13 540,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,333 kr10 832,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6211
Tillv. art.nr:
IRS2301STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

200mA

Antal ben

8

Falltid

80ns

Kapseltyp

SOIC

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

220ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

IRS

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.75mm

Längd

4.98mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon IRS2301S är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanal på hög och låg sida. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik. Utgångsdrivaren har ett buffertsteg med hög pulsström.

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Fullt fungerande i +600 V

Tolerant mot negativ transientspänning, dV/dt-immun

Gate-driven strömförsörjningsområde från 5 V till 20 V

Spärr vid underspänning för båda kanalerna

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.