Infineon MOSFET, Gate-drivare, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC

RS-artikelnummer:: 226-6211
Tillv. art.nr:: IRS2301STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 832,50 kr

(exkl. moms)

13 540,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 22 mars 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,333 kr	10 832,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6211
Tillv. art.nr:: IRS2301STRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	200mA
	Antal ben	8
	Kapseltyp	SOIC
	Falltid	80ns
	Antal utgångar	2
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Stigtid	220ns
	Minsta matningsspänning	5V
	Maximal matningsspänning	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.75mm
	Längd	4.98mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	3.99mm
	Serie	IRS
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 200mA
	Antal ben 8
	Kapseltyp SOIC
	Falltid 80ns
	Antal utgångar 2
	Typ av drivsteg MOSFET
	Stigtid 220ns
	Minsta matningsspänning 5V
	Maximal matningsspänning 20V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.75mm
	Längd 4.98mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 3.99mm
	Serie IRS
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS2301STRPBF

Infineon IRS-serien grinddrivare, 5 V minsta matningsspänning, 200 mA utgångsström – IRS2301STRPBF

Denna grinddrivare ger dubbelkanalig MOSFET-styrning för lågspänningsomkopplingssystem, accepterar matningsspänningar från 5 V upp till 20 V och är utformad för ytmontering i ett SOIC-paket. Den är avsedd för miljöer som kräver måttlig utgångsdrift och tillförlitlig pulsformning, och fungerar över ett utökat industriellt temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• Två utgångar ger oberoende MOSFET-styrning med 200 mA-drivning
• Stigtid 220 ns minskar övergångstiden för omkopplingen
• Falltid på 80 ns säkerställer snabbare avstängning
• Ytmonterad SOIC med åtta stift förenklar kretskortsplaceringen
• Klassad för maximalt 150 °C för drift vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för att driva effekt-MOSFET:er i motorstyrningsstegen
• Idealisk för grindstyrning i DC/DC-omvandlarkonstruktioner
• Används med lågspänningsförsörjningar på logiknivå i styrsystem
• Kan användas för switchade nätaggregat som kräver dubbla enheter
• Används för industriella kretsar som drivs över breda temperaturer

Vilket matningsspänningsområde kan den tolerera?

Den fungerar från 5 V min upp till 20 V max.

Hur mycket ström kan varje utgång källa eller sink?

Varje kanal ger en utgångsströmkapacitet på 200 mA.

Vilken kapsling och monteringsstil används?

Enheten är inkapslad i en åttapolig SOIC och lämplig för ytmonterad placering.

Vilka extrema temperaturer tål den?

Komponenten fungerar ned till -40 °C och upp till 150 °C maximal drifttemperatur.