Infineon MOSFET, MOSFET, 200 mA, 8 Ben 600 V, SOIC

Se alla Gate-drivare

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 832,50 kr

(exkl. moms)

13 540,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +4,333 kr10 832,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
226-6211
Tillv. art.nr:
IRS2301STRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

200mA

Antal ben

8

Kapseltyp

SOIC

Falltid

80ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

220ns

Minsta matningsspänning

20V

Maximal matningsspänning

600V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

IRS

Längd

4.98mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IRS2301S is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high- and low side referenced output channel. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver feature a high pulse current buffer stage.

Floating channel designed for bootstrap operation

Fully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

Gate drive supply range from 5 V to 20 V

Undervoltage lockout for both channel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.