Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 226-6172
- Tillv. art.nr:
- IRS2007STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
137,32 kr
(exkl. moms)
171,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,866 kr | 137,32 kr |
| 100 - 180 | 6,524 kr | 130,48 kr |
| 200 - 480 | 6,25 kr | 125,00 kr |
| 500 - 980 | 5,981 kr | 119,62 kr |
| 1000 + | 5,567 kr | 111,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6172
- Tillv. art.nr:
- IRS2007STRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Utström | 600mA | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Falltid | 90ns | |
| Typ av drivsteg | MOSFET | |
| Stigtid | 70ns | |
| Minsta matningsspänning | 20V | |
| Maximal matningsspänning | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Serie | IRS | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Utström 600mA | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Falltid 90ns | ||
Typ av drivsteg MOSFET | ||
Stigtid 70ns | ||
Minsta matningsspänning 20V | ||
Maximal matningsspänning 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Serie IRS | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Typ av fäste Yta | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IRS2007 är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med beroende hög- och lågsidans referensutgångskanal. Proprietär HVIC- och låsimmun CMOS-teknik möjliggör robust monolitisk konstruktion. Logikingången är kompatibel med standard CMOS- eller LSTTL-utgång, upp till 3,3 V-logik.
Gate Drive levererar upp till 20 V per kanal
Underspänningsspärr för VCC, VBS
Kompatibel med 3,3 V, 5 V, 15 V ingångslogik
Tolerant mot negativ transientspänning
Utformad för användning med bootstrap-nätaggregat
Logik för att förhindra korskoppling
Relaterade länkar
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 600 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET 1, 500 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 600 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- Infineon MOSFET, Gate-drivare, 290 mA, 8 Ben 20V, SOIC
- Infineon MOSFET, MOSFET, 290 mA, 8 Ben 600 V, SOIC
- AEC-Q100 Infineon MOSFET, Gate-drivare 2, 200 mA, 8 Ben 20V, SOIC