STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

9 745,00 kr

(exkl. moms)

12 180,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 12 500 enhet(er) från den 23 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,898 kr9 745,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-8727
Tillv. art.nr:
STD1NK60T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

30W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.4mm

Bredd

6.2 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 250V till 650V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics