STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5099
- Tillv. art.nr:
- STD3NK90ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
142,46 kr
(exkl. moms)
178,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 enhet(er) från den 14 september 2026
- Dessutom levereras 2 175 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,492 kr | 142,46 kr |
| 50 - 120 | 24,56 kr | 122,80 kr |
| 125 + | 19,26 kr | 96,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5099
- Tillv. art.nr:
- STD3NK90ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
