STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

77,50 kr

(exkl. moms)

96,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 14 370 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 907,75 kr77,50 kr
100 - 4905,169 kr51,69 kr
500 - 9904,053 kr40,53 kr
1000 - 24903,705 kr37,05 kr
2500 +3,395 kr33,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5181
Tillv. art.nr:
STD1NK60T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

30W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Bredd

6.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.