STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5178
- Tillv. art.nr:
- STD3NK50ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
83,50 kr
(exkl. moms)
104,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 110 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,35 kr | 83,50 kr |
| 100 - 490 | 6,229 kr | 62,29 kr |
| 500 - 990 | 4,943 kr | 49,43 kr |
| 1000 - 2490 | 4,392 kr | 43,92 kr |
| 2500 + | 3,858 kr | 38,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5178
- Tillv. art.nr:
- STD3NK50ZT4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
