STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5226
- Tillv. art.nr:
- STE40NC60
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
403,09 kr
(exkl. moms)
503,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 403,09 kr |
| 10 - 99 | 322,47 kr |
| 100 - 499 | 289,42 kr |
| 500 + | 263,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5226
- Tillv. art.nr:
- STE40NC60
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | ISOTOP | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 130mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 460W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 307.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.1mm | |
| Längd | 38.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp ISOTOP | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 130mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 460W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 307.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.1mm | ||
Längd 38.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 500 V Förbättring, 4 Ben, ISOTOP, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH