STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

35 845,00 kr

(exkl. moms)

44 805,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +14,338 kr35 845,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-8050
Tillv. art.nr:
STD4NK100Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

90W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Bredd

6.2mm

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.