STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh, SuperMESH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

155,23 kr

(exkl. moms)

194,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 215 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 531,046 kr155,23 kr
10 +29,478 kr147,39 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-2776
Tillv. art.nr:
STD4NK100Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

90W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Bredd

6.2 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar