STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- RS-artikelnummer:
- 687-5285
- Tillv. art.nr:
- STP8NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
115,02 kr
(exkl. moms)
143,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 690 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 57,51 kr | 115,02 kr |
| 10 - 98 | 48,83 kr | 97,66 kr |
| 100 - 498 | 38,975 kr | 77,95 kr |
| 500 - 998 | 34,83 kr | 69,66 kr |
| 1000 + | 29,29 kr | 58,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5285
- Tillv. art.nr:
- STP8NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.85Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.85Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 9.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 1 kV Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3.5 A 1 kV Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1 kV Förbättring TO-220 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 1.85 A 1 kV Förbättring IPAK SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 1 kV Förbättring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3.5 A 1 kV Förbättring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8.3 A 1 kV Förbättring TO-247 SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3 A 800 V Förbättring TO-220 SuperMESH
